더 넓은 그림
2026년 3월 17일, 미국 새너제이에서 열린 GTC 2026에서 삼성전자가 HBM4E를 최초로 공개했습니다. HBM4E는 초당 16기가비트(Gbps)의 핀당 속도와 초당 4TB의 대역폭을 지원하는 혁신적인 메모리 기술로, AI 시스템에 필수적인 고성능 메모리 솔루션을 제공합니다. 이는 AI 기술의 발전에 중요한 기여를 할 것으로 기대됩니다.
삼성전자는 GTC 2026에서 HBM4E와 관련된 기술을 전시 부스에서 소개하며, 저전력 고성능 D램(LPDDR5X) 기반 서버용 메모리 모듈인 SOCAMM2를 엔비디아에 공급하고 있습니다. 이러한 기술들은 AI의 발전과 함께 기업의 데이터 처리 능력을 크게 향상시킬 것으로 보입니다.
이번 행사에서 송용호 삼성전자 AI센터장이 기조연설을 할 예정이며, 부스 내 AI 팩토리 존에서는 기업용 SSD PM1753과 최신 그래픽 D램(GDDR7), LPDDR6, PM9E1 등이 전시됩니다. 특히, PM1763은 PCI익스프레스(PCIe) 6세대 기반 서버용 SSD로, 데이터 전송 속도를 획기적으로 개선할 것으로 기대됩니다.
삼성전자는 HBM 기술의 선순환 구조를 구축할 계획이며, 이는 향후 AI 시스템에 필요한 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급하는 데 중요한 역할을 할 것입니다. 삼성전자는 “삼성전자는 베라 루빈 플랫폼 같은 AI 시스템에 필요한 고성능 메모리 솔루션을 지속 공급하겠다”고 밝혔습니다.
HBM4E의 출시는 AI 기술의 발전에 큰 영향을 미칠 것으로 예상되며, 이로 인해 1조 달러의 매출을 창출할 것이라는 전망도 있습니다. 또한, 500억 달러 규모의 매출 기회가 있을 것으로 예상되며, 이는 삼성전자의 성장에 중요한 기여를 할 것입니다.
삼성전자의 HBM4E는 10나노미터(nm) 기반 6세대 공정으로 제작되며, 4nm 베이스다이로 20% 개선된 성능을 자랑합니다. 이러한 기술적 진보는 AI와 데이터 처리의 미래를 더욱 밝게 할 것입니다.
AI 기술의 발전과 함께 HBM4E의 도입은 기업들이 데이터 처리 능력을 향상시키고, 효율성을 극대화하는 데 기여할 것입니다. 그러나 앞으로의 세부 사항은 아직 확인되지 않았습니다.
